收藏本站
NTGD4167C
P ? CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS
7.0
7.0
V DS = ? 5 V
6.0
V GS = ? 5.0 V to ? 3.5 V
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
? 3.0 V
? 2.5 V
? 2.0 V
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
? 1.5 V
3.0 3.5
4.0
4.5
5.0
1.0
0
0.75
1
125 ° C
1.25 1.5
1.75
? 55 ° C
2
25 ° C
2.25
2.5
2.75
3
0.5
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. On ? Region Characteristics
0.5
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. Transfer Characteristics
0.45
0.4
0.35
0.3
0.25
T J = 25 ° C
0.45
0.4
0.35
0.3
0.25
T J = 25 ° C
V GS = ? 2.5 V
0.2
0.15
0.1
0.05
I D = ? 1.9 A
0.2
0.15
0.1
0.05
V GS = ? 4.5 V
0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
? V GS , GATE VOLTAGE (V)
Figure 15. On ? Region vs. Gate ? To ? Source
Voltage
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 16. On ? Resistance vs. Drain Current
and Temperature
1.6
1.5
1.4
I D = ? 1.9 A
V GS = ? 4.5 V
550
500
450
C ISS
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
f = 1 MHz
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
400
350
300
250
200
150
0.8
0.7
100
50
C RSS
C OSS
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 17. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
7
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 18. Capacitance Variation
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTGD4169FT1G MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
NTGS1135PT1G MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP
NTGS3130NT1G MOSFET N-CH SGL 20V 5.6A 6-TSOP
NTGS3441BT1G MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
NTGS3441PT1G MOSFET P-CH 20V 1.8A 6-TSOP
NTGS3441T1 MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP
NTGS3443BT1G MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
NTGS3443T1 MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
相关代理商/技术参数
NTGD4169F 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode 30 V, 2.9 A, N−Channel with Schottky Barrier Diode, TSOP−6
NTGD4169FT1G 功能描述:MOSFET FETKY 30V 2.6A 90MO TSOP6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTGF3123F 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters
NTGS1135P 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −8 V, −5.8 A, Single P−Channel, TSOP−6
NTGS1135PT1G 功能描述:MOSFET 8V Power Mosfet P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTGS3130N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 5.6 A Single N-Channel, TSOP-6
NTGS3130NT1G 功能描述:MOSFET POWER MOSFET 20V 5.6A SNGL CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTGS3136P 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, -5.8 A, Single P-Channel, TSOP-6